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| 本發明公開了多鐵性ＢｉＦｅＯ↓［３］在強磁場環境下制備與處理方法。其特征是利用強磁場來制備和處理ＢｉＦｅＯ↓［３］樣品，以改善ＢｉＦｅＯ↓［３］的磁電耦合性能。利用化學方法或物理方法制備好Ｂｉ－Ｆｅ－Ｏ前驅體以及薄膜或者直接制備得到ＢｉＦｅＯ↓［３］樣品（包括多晶、單晶、納米材料或薄膜），然后置于具有空氣或其它氣體（如氧氣）氛圍的強磁場加熱爐中燒結或退火，在磁場強度０－２０特斯拉、溫度４００～８８０℃下保溫１～６小時后，采用快速淬火或以１℃／分鐘降溫至室溫。本發明可有效同時提高ＢｉＦｅＯ↓［３］的宏觀磁矩和飽和極化強度，增強磁電耦合效應。 |
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一種多鐵性材料的強磁場制備方法
一種多鐵性材料的強磁場制備方法，其特征在于該方法工藝步驟如下： （１）利用普通化學方法或者物理方法制備好Ｂｉ－Ｆｅ－Ｏ前驅體或ＢｉＦｅＯ３薄膜； （２）將上述步驟（１）所得的Ｂｉ－Ｆｅ－Ｏ前驅體利用小型壓片機壓制成小片，得到Ｂｉ－Ｆｅ－Ｏ塊狀樣品；然后將Ｂｉ－Ｆｅ－Ｏ塊狀樣品或ＢｉＦｅＯ↓［３］薄膜樣品置于具有氣體氛圍的強磁場加熱爐中，先合上強磁場電源，待磁場穩定后打開加熱爐電源，在磁場強度０－２０特斯拉、溫度４００～５５０℃下保溫１～６小時后，然后以１℃／分鐘降溫，降溫至１００～３００℃，關閉熱處理爐電源，最后關閉磁場電源，使Ｂｉ－Ｆｅ－Ｏ塊狀樣品或ＢｉＦｅＯ↓［３］薄膜樣品隨熱處理爐自然降溫冷卻至室溫，得到多晶ＢｉＦｅＯ↓［３］或ＢｉＦｅＯ↓［３］薄膜。
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| 專利號: |
200810112290 |
| 申請日: |
2008年5月22日 |
| 公開/公告日: |
2008年10月8日 |
| 授權公告日: |
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| 申請人/專利權人: |
中國科學院電工研究所 |
| 國家/省市: |
北京(11) |
| 郵編: |
100080 |
| 發明/設計人: |
羅萬居、王軍紅、王棟樑、劉敏、馬衍偉 |
| 代理人: |
關玲 成金玉 |
| 專利代理機構: |
(11251) |
| 專利代理機構地址: |
() |
| 專利類型: |
發明 |
| 公開號: |
101279841 |
| 公告日: |
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| 授權日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優先權: |
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| 審批歷史: |
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| 附圖數: |
0 |
| 頁數: |
5 |
| 權利要求項數: |
1 |
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