因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC
160是目前考夫曼 KDC 系列大,離子能量強(qiáng)的柵極離子源,
適用于已知的所有離子源應(yīng)用, 離子源 KDC 160 高輸出設(shè)計(jì),大電流超過 1000
mA. 無需水冷, 降低安裝要求并排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設(shè)計(jì),標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)
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型號
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KDC 160
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供電
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DC magnetic
confinement
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- 陰極燈絲
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2
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- 陽極電壓
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0-100V DC
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電子束
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OptiBeam™
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- 柵極
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專用, 自對準(zhǔn)
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-柵極直徑
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16 cm
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中和器
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燈絲
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電源控制
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KSC 1212
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配置
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-
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- 陰極中和器
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Filament,
Sidewinder Filament 或LFN 2000
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- 安裝
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移動(dòng)或快速法蘭
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- 高度
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9.92
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- 直徑
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9.1
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- 離子束
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聚焦
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平行
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散設(shè)
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-加工材料
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金屬
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電介質(zhì)
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半導(dǎo)體
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-工藝氣體
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惰性
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活性
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混合
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-安裝距離
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8-45”
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- 自動(dòng)控制
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控制4種氣體
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* 可選: 可調(diào)角度的支架
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KRI 考夫曼離子源 KDC
160 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu)
IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立
Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng). KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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上海伯東: 羅先生
