晶體管&整流器反向漏電流測(cè)試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，性價(jià)比高，測(cè)試范圍更廣，輸出電壓高達(dá)300V，支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出報(bào)告，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求，可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案，及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，詳情請(qǐng)聯(lián)系普賽斯儀表銷(xiāo)售專(zhuān)員為您解答一八一四零六六三四七六

晶體管&整流器反向漏電流測(cè)試源表簡(jiǎn)介

S系列源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的率先國(guó)產(chǎn)化的源表，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，大輸出電壓達(dá)300V，小測(cè)試電流達(dá)100pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中:半導(dǎo)體IC或元器件，功率器件，傳感器，有機(jī)材料與納米材料等特性測(cè)試和分析。

產(chǎn)品特點(diǎn)

Ø 5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作

Ø 內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試，如LIV、PIV

Ø 源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5數(shù)位

Ø 四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：電流100pA~1A，電壓0.3mV~300V

Ø 豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

Ø 支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

Ø 支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

晶體管&整流器反向漏電流測(cè)試源表技術(shù)參數(shù)

大輸出功率：30W，4象限源或肼模式；

源限度：電壓源：±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；

電流源：±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；

過(guò)量程： 105%量程，源和測(cè)量；

穩(wěn)定負(fù)載電容：<22nF；

寬帶噪聲(20MHz)：2mV RMS（典型值），<20mV Vp-p（典型值）；

線纜保護(hù)電壓：輸出阻抗1KΩ，輸出電壓偏移<80uV；

大采樣速率：1000 S/s；

觸發(fā)：支持IO觸發(fā)輸入及輸出，觸發(fā)極性可配置；

輸出接口：前后面板香蕉頭插座輸出，同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口；

通信口：RS-232、GPIB、以太網(wǎng)；

電源：AC 100~240V 50/60Hz；

工作環(huán)境：25±10℃；

尺寸：106mm高 × 255mm寬 × 425mm長(zhǎng)；

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S系列源表應(yīng)用

l 分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；

l 能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等

l 傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等

l 有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等

l 納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等