1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 美國 KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

KRi 離子源原子水平上在材料表面沉積薄膜


KRi 離子源離子槍系列產品融合一系列等離子技術, 主要分為以下幾類：

無柵式端部霍爾離子源 eh
霍爾離子源 eH 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護. 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統, 卷繞鍍膜機等.

有柵極射頻感應耦合等離子體離子源 RFICP
美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP  系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

有柵極離子源 KDC
美國原裝進口考夫曼離子源 KDC 系列, 加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 增強設計輸出高質量, 穩定的電子流.

美國 KRI 考夫曼公司新升級 Gridded KDC 系列離子源, 新的特性包含自對準離子光學和開關式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應用. 考夫曼離子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼離子源, 電子中和器, 電源供應器等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如實驗室小型研發, 鍍膜機, load lock, 磁控濺射系統, 卷繞鍍膜機和線性鍍膜.

電源與控制
可操作不同種類的離子, 等離子以及電子源. 這些產品能夠為等離子流程中的動荷作用輸出平穩, 連續的電源.

電子源與離子源離子槍中和器
這些電子源低能量, 高電流源. 它們一般應用于中和劑或陰極材料, 以便控制離子源與等離子源的產量.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.